低温冷凝法先让含工业气体氦气源中的硫化氢、二氧化碳、水分，甚至汞等杂质在进入低温装置前须净化处理。然后将天然气经二次冷凝后制得氦含量为60%左右的粗氦。天然气中较难液化的氢随着氦气的提浓被浓缩在粗氦中，需要在精制前将其除去。冷源一般由常压液氮提供，可制得纯度99.99% 以上的氦气。吸附法是根据天然气中甲烷、乙烷、氦气、氮气、氧气等各组分在固体吸附剂表面上吸附能力的差异而将其中的氦分离出来。限于吸附剂的吸附容量，施秉工业气体吸附法一般适用于杂质含量小于10%的粗氦精制中。近年来发展起来的变压吸附（PSA）即属于此类改进型。吸收法是用吸收溶剂将沸点比氦气高的天然气中的其余组分洗涤吸收除去而提取氦气。扩散法利用氦气所具有的高的热扩散性能，用毛细管可将天然气中的氦气浓缩提取出来。

用户在购买气瓶后，施秉工业气体应对气瓶的漆色、检验日期、外观、各种标贴及其安全装置进行检查，确认盛装气体正确无误，气瓶安全状况良好后方可使用。气瓶在运输和装卸过程中应轻装轻卸，严禁抛、滑、滚及剧烈碰撞。使用前应按要求将合格的减压阀连接到气瓶上，并清洁连接软管。不同气体的气瓶使用时不要使用同一个减压阀。烧焊时，应对气体及电气采取适当的保护措施。不要使用损坏的设备，如软管、电缆及焊枪等。工业气体不应在封闭空间内用惰性气体（如氮气、一氧化碳等）进行实验率分析、烧焊、低温冷藏、吹除等等。在可能造成回流的使用场合，使用设备上必须配备防止倒灌的装置，如单向阀、止回阀、阻火器等。

高纯氩气主要用于焊接、不锈钢制造、冶炼，还用于半导体制造工艺中的化学气相淀积、晶体生长、热氧化、外延、扩散、多晶硅、钨化、离子注入、载流、烧结等工业气体氩气作为制作单晶及多晶硅的保护气，为了提高硅晶体的质量，如何选用较高纯度的氩气，是制作硅晶体的一个议题。氩气的纯度其中氧含量小于1ppm时，水分也小于1ppm时，制作出的单晶硅其氧碳含量就小于0.5ppm，这样就提高了单晶的使用寿命并能达到要求。一般液氩汽化后未经过纯化处理，它的氧含量一般在2ppm~5ppm。有时气体供应商提供的氩气超过了此范围，但使用施秉工业气体氩气的客户确不知道其质量，所以往往给生产产品质量造成影响。有了氩气纯化装置后不论氩原料气的质量如何，只要经过纯化装置的处理后，进入拉晶炉的氩气，纯度始终是恒定的。

所有使用乙炔瓶的用户必须在减压器出口部位接装单向阀和阻火器以防止回流及回火，同时在氧气瓶减压器出口部位接装单向阀以防止乙炔气回流。施秉工业气体在使用乙炔前，所有减压阀、焊枪、软管及乙炔瓶都应用肥皂水试漏，以防乙炔在空气中聚集。瓶内气体不得用尽，必须留有不少于0.05Mpa/液化气体气瓶应留有不少于0.5~1.0%规定充装量的剩余气体。瓶内气体相互接触能引起燃烧、爆炸、产生毒物的气瓶，不得同车运输，施秉工业气体价格如氢气和氧气，乙炔和氧气瓶等。乙炔气瓶不得与氧气瓶，氯气瓶及易燃物品同室储存。气瓶存放区应比较干燥，并有良好通风，严禁明火和其它热源。可燃气瓶或氧气瓶附近严禁吸烟，气瓶不应接触到火花、火焰、热气及电路。