高纯气体一般用在集成电路、半导体和电真空器件制造中用作保护气和运载气，化学气相淀积时的载气，液体扩散源的携带气，在高温扩散炉中用作器件的保护气。混合气体高纯氮气在外延、光刻、清洗和蒸发等工序中，作为置换、干燥、贮存和输送用气体。显像管制造中要求氮气纯度为99.99%以上。在航天技术中，液氢加注系统必须先用超高纯氮气置换，再用超高纯氮气置换。对于高纯气体，任何微小的污染都会严重影响气体的质量，因此气体贮存和运输过程中的洁净和高度密封性特别重要。镇远混合气体高纯气体主要采用高压钢瓶或低温液化气体容器贮存和运输。高压钢瓶坚实耐用，运输和使用灵活，气体无损耗，但气体纯度稳定性较差；低温液化气体容器单位容积贮量很大，但有气体排放损耗。

高纯氩气主要用于焊接、不锈钢制造、冶炼，还用于半导体制造工艺中的化学气相淀积、晶体生长、热氧化、外延、扩散、多晶硅、钨化、离子注入、载流、烧结等混合气体氩气作为制作单晶及多晶硅的保护气，为了提高硅晶体的质量，如何选用较高纯度的氩气，是制作硅晶体的一个议题。氩气的纯度其中氧含量小于1ppm时，水分也小于1ppm时，制作出的单晶硅其氧碳含量就小于0.5ppm，这样就提高了单晶的使用寿命并能达到要求。一般液氩汽化后未经过纯化处理，它的氧含量一般在2ppm~5ppm。有时气体供应商提供的氩气超过了此范围，但使用镇远混合气体氩气的客户确不知道其质量，所以往往给生产产品质量造成影响。有了氩气纯化装置后不论氩原料气的质量如何，只要经过纯化装置的处理后，进入拉晶炉的氩气，纯度始终是恒定的。

工业气体氦的液体温度范围为2×10-3—5.20K，氢的液体温度范围为14.2—33.0K，工业气体氖的液体温度范围为24.5—44.40K。由于混合气体氖具有化学惰性，且蒸发潜热大（按同体积液体计，液氖制冷能为液氢的2.7倍），因此，在25-40K内，经常用氖代替氢作为实验的安全冷却剂。在工业气体液氖上部抽出蒸气，很容易使液体氖变为固体氖，因为氖的三相点温度只比它的标准沸点低约2.5K，在把氖作为制冷剂应用时，利用固体氖的熔化潜热可使氖的有效产冷量增加20%。为了能够把大空间快速抽成真空状态，镇远混合气体经常使用液氦低温泵，若真空要求不高，也可以采用液氖低温泵。由于很多电子器件中的热噪声在低温下都会减少，因此，许多无线电、红外线和其他辐射检测仪器可以使用氖循环制冷却以增加它们的灵敏度。

氧气是一种开发应用较早的工业气体，现已广泛应用于国民经济和社会发展的各个领域。其主要用于金属焊接、切割和各种燃烧装置的助燃气体以及某些工艺过程的氧化气体等。冶金工业包括钢铁冶炼、有色金属冶炼过程都大量使用镇远混合气体氧气，其明显作用是强化冶炼过程，达到增产节能。机械工业应用氧气进行金属焊接、切割能大大提高工效。化工行业应用氧气制造医药、染料、炸药等化工产品，此外还用来强化生产，如用吹氧法生产黄磷、喷氧气化劣煤等。电子工业应用混合气体氧气，除用作助燃气体外，还是制造半导体集成电路的氧化气体，是该行业不可缺少的高纯气体之一；高纯氧气还是制造光导纤维的重要气体原料。氧气在国防上用途很广，用量较大的是火箭。

三氯氢硅装卸方法为利用压缩机密闭状态装卸。用混合气体压缩机抽出储罐中的三氯氢硅混合气体，压入槽车中，此时储罐内的压力降低，槽车内的压力升高，槽车和储罐间形成一定的压差，这样槽车内的三氯氢硅液体就借此压力被压送到储罐中，反之则将储罐中的三氯氢硅液体压送到槽车内。三氯氢硅卸液必须严格遵守操作规程，操作人员应掌握本岗位的操作技术和防火要求，精心操作，随时监控压力表、液位计;在卸液是发动机应熄火，镇远混合气体储罐内的三氯氢硅应停止使用，并有专人监护，雷雨天停止卸液。在卸液过程中还容易产生静电，应采用材质好且光滑的运输管道;槽车装卸液前，设备、管道都要先接好静电接地线，必须保持有效长度的接地拖链;卸液时严格控制流速，流速应控制在0.7~2m/s，以防止产生静电。

所有使用乙炔瓶的用户必须在减压器出口部位接装单向阀和阻火器以防止回流及回火，同时在氧气瓶减压器出口部位接装单向阀以防止乙炔气回流。镇远混合气体在使用乙炔前，所有减压阀、焊枪、软管及乙炔瓶都应用肥皂水试漏，以防乙炔在空气中聚集。瓶内气体不得用尽，必须留有不少于0.05Mpa/液化气体气瓶应留有不少于0.5~1.0%规定充装量的剩余气体。瓶内气体相互接触能引起燃烧、爆炸、产生毒物的气瓶，不得同车运输，镇远混合气体厂家如氢气和氧气，乙炔和氧气瓶等。乙炔气瓶不得与氧气瓶，氯气瓶及易燃物品同室储存。气瓶存放区应比较干燥，并有良好通风，严禁明火和其它热源。可燃气瓶或氧气瓶附近严禁吸烟，气瓶不应接触到火花、火焰、热气及电路。